سیستم همکاری در فروش سپیده

ايجاد واروني انبوهي(inverse population)

روش هاي ايجاد واروني انبوهي

دمش اپتيکي
دمش الکتريکي

نوعp (دهنده الکترون ) As
نوعn         ) گيرنده الکترون) Ga
در مواد نيمه هادي بر خلاف فلزات طيف انرژي از نوارهاي خيلي پهن تشکيل شده است.

احتمال اشغال حالت انرژي مورد نظر با f(E)

باز ترکيب تابشي نتيجه آن توليد فوتون است.
باز ترکيب غير تابشي نتيجه آن اتلاف انرژي بصورت گرما(فونون) است.
Ø       گاف مستقيم GaAs                    در اين مواد توليد فوتون داريم.

Ø       گاف غير مستقيم Ge,Si               در اين مواد توليد فونون داريم.

Ø       در ساختار DFBبه سبب وجود سطوح پريوديک اصل بازتاب براگ براي فوتون توليدي اتفاق مي افتد. البته با توجه به شکل ناحيه موجدار (Grating) تنها يکي از طول موجها تقويت مي شود. در اين ساختار تنها قسمتي از ناحيه فعال سينوسي شکل است.

Ø        درساختار DBR نيز اصل براگ اتفاق مي افتد. بااين تفاوت که دراين ساختار ناحيه سينوسي يک لايه جدا وچسبيده به ناحيه فعال است.